Электроника, оргтехника
Ширина 7

Описание:
Объем: 250 мл. Антистатический эффект.

Описание:
Предназначен для чистки труднодоступных мест электронного оборудования и офисной техники: клавиатур компьютеров, дисководов, копировальных и факсовых аппаратов и т.п. Негорючий. Объем: 400 мл.

Описание:
Картридж лазерный для принтеров Xerox Phaser 7100 можно использовать для профессиональной печати документов и маркетинговых материалов дома и в офисе. Ресурс: 9000 страниц при 5% заполнении листа. Емкость картриджа: повышенная. Цвет тонера: пурпурный.

Описание:
Картридж лазерный для принтеров Xerox Phaser 7100 можно использовать для профессиональной печати документов и маркетинговых материалов дома и в офисе. Ресурс: 9000 страниц при 5% заполнении листа. Емкость картриджа: повышенная. Цвет тонера: желтый.

Описание:
Тип оперативной памяти: DDR3. Частота работы оперативной памяти: 1333 МГц. Форм-фактор модуля: 204-pin SODIMM. Множитель частоты шины: 9. Количество модулей памяти: 1. Размер одного модуля памяти: 8 Гб. Напряжение питания: 1.2 В. Пропускная способность: 10600 Гб/с. Количество ранков: 2.

Описание:
Аккумулятор CyberPower "CP5000PEG Power Bank" - это перезаряжаемая, долговечная батарея, предназначенная для питания мобильных устройств, включая смартфоны, MP3-плееры, камеры и портативные игровые устройства, находясь вдали от других источников питания. Вы можете заряжать свои устройства в любом месте, в любое время и наслаждаться часами дополнительной работы. - Ёмкость батареи 5000 мАч. - Премиум-литий-полимерный аккумулятор. - Два USB-выхода для зарядки. - Долговечная аккумуляторная батарея. - Гарантия 500 циклов зарядки. - Индикаторы ёмкости аккумулятора. - Интеллектуальная защита безопасности. - Энергосберегающие технологии. - Огнестойкость. - Компактный портативный дизайн. - Соответствует RoHS.

Описание:
Тип: HDD. Поддержка секторов размером 4 КБ: есть. Назначение: для ноутбука. Форм-фактор: 2.5". Объем: 500 ГБ. Объем буферной памяти: 8 МБ. Скорость вращения: 5400 rpm. Подключение: SATA 6Gbit/s. Макс. скорость интерфейса: 600 МБ/с. Поддержка NCQ: есть. Среднее время задержки (Latency): 5.56 мс. Ударостойкость при работе: 400 G. Ударостойкость при хранении: 1000 G. Уровень шума простоя: 19 дБ. Уровень шума работы: 21 дБ. Время наработки на отказ: 600000 ч. Максимальная рабочая температура: 65 °C. Потребляемая мощность: 1.50 Вт.

Описание:
Емкость: 480 ГБ. Назначение: для ноутбука и настольного компьютера. Форм-фактор: 2280. Игровой: да. Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND. Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s. Разъем M.2: есть. Макс. скорость интерфейса: 600 МБ/с. Поддержка секторов размером 4 КБ: есть. Поддержка NCQ: есть. Поддержка TRIM: есть.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: SODIMM 260-контактный. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 МБ/с. Объем: 1 модуль 8 ГБ. Поддержка ECC: нет. Буферизованная (Registered): нет. Низкопрофильная (Low Profile): нет. Тайминги. CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Количество чипов каждого модуля: 8. Напряжение питания: 1.2 В. Количество ранков: 1.

Описание:
Объем накопителя SSD: 480 Гб. Тип флэш-памяти: 3D QLC NAND. Передача сжимаемых данных: до 500 Мб/с для чтения и 400 Мб/с для записи. Форм-фактор: 2,5 дюйма (В комплекте переходник с 2,5" на 3,5"). Размеры: 70x100x7 мм. Время наработки на отказ: 1 500 000 ч. TBW: 100 TB. Ударопрочность: 1500 G/ 0.5 ms. Интерфейс: SATA 3.0 (6 Гбит/с).

Описание:
CAS Latency (CL): 17. RAS to CAS Delay (tRCD): 17. Row Precharge Delay (tRP): 17. Напряжение питания: 1.2 В. Тип памяти: DDR4. Форм фактор: DIMM. Тактовая частота: 2400 МГц. Пропускная способность: 19200 Мб/с. Общий объём: 8 Гб. Поддержка ECC: есть. Буферизованная (Registered): да. Низкопрофильная (Low Profile): нет.

Описание:
Объем памяти: 8 ГБ. Тип памяти: DDR3L SDRAM. Напряжение питания: 1.35 В. Радиаторы на планках: нет. Частота памяти: 1600 МГц. Эффективная пропускная способность: 12800 МБ/с. Схема таймингов памяти: CL11. Количество планок: 1. Назначение: для настольных ПК. Буферизация: небуферизированная (Unbuffered). Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет (non-ECC).

Описание:
Тип памяти: DDR4. Суммарный объем памяти всего комплекта: 16 ГБ. Объем одного модуля памяти: 16 ГБ. Количество модулей в комплекте: 1 шт. Частота: 2400 МГц. Пропускная способность: PC19200. Тайминги: CAS Latency (CL): 15. RAS to CAS Delay (tRCD): 15. Row Precharge Delay (tRP): 15. Activate to Precharge Delay (tRAS): 29. Количество чипов модуля: 8. Двухсторонняя установка чипов: есть. Напряжение питания: 1.2 В.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Суммарный объем памяти всего комплекта: 16 ГБ. Объем одного модуля памяти: 16 ГБ. Количество модулей в комплекте: 1 шт. Частота: 2666 МГц. Пропускная способность: PC21300. Тайминги: CAS Latency (CL): 16. Количество чипов модуля: 8. Двухсторонняя установка чипов: есть. Напряжение питания: 1.2 В.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор памяти: DIMM. Ранговость: одноранговая. Объем одного модуля памяти: 16 ГБ. Количество модулей в комплекте: 1 шт. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: PC21300. Поддерживаемые режимы работы: 1866 МГц, 2666 МГц, 2400 МГц, 2133 МГц, 1600 МГц. Тайминги: CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Activate to Precharge Delay (tRAS): 32. Высота: 31.25 мм. Низкопрофильная (Low Profile): нет. Напряжение питания: 1.2 В.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Суммарный объем памяти всего комплекта: 16 ГБ. Объем одного модуля памяти: 16 ГБ. Количество модулей в комплекте: 1 шт. Частота: 3200 МГц. Пропускная способность: PC25600. Тайминги: CAS Latency (CL): 20. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Двухсторонняя установка чипов: есть. Напряжение питания: 1.2 В.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор памяти: DIMM. Объем одного модуля памяти: 16 ГБ. Количество модулей в комплекте: 1 шт. Тактовая частота: 3466 МГц. Пропускная способность: PC27700. Поддерживаемые режимы работы: 3333 МГц, 2933 МГц, 3466 МГц, 3200 МГц, 3000 МГц, 1600 МГц, 1866 МГц, 2133 МГц, 2400 МГц, 2666 МГц. Тайминги: CAS Latency (CL): 17. RAS to CAS Delay (tRCD): 21. Row Precharge Delay (tRP): 21. Наличие радиатора: есть. Высота: 41.24 мм. Низкопрофильная (Low Profile): нет. Напряжение питания: 1.35 В.

Описание:
Тип памяти: DDR4 Форм-фактор памяти: DIMM. Ранговость: одноранговая. Объем одного модуля памяти: 8 ГБ. Количество модулей в комплекте: 1 шт. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: PC21300. Профили Intel XMP: нет. Поддерживаемые режимы работы: 1866 МГц, 2666 МГц, 2400 МГц, 2133 МГц, 1600 МГц. Тайминги: CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Activate to Precharge Delay (tRAS): 32. Наличие радиатора: нет. Подсветка элементов платы: нет. Высота: 31.25 мм. Низкопрофильная (Low Profile): нет. Напряжение питания: 1.2 В.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8 ГБ. Объем одного модуля памяти: 8 ГБ. Количество модулей в комплекте: 1 шт. Частота: 2666 МГц. Пропускная способность: PC21300. Тайминги: CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Activate to Precharge Delay (tRAS): 32. Количество чипов модуля: 8ю Двухсторонняя установка чипов: нет. Напряжение питания: 1.2 В.