Электроника, оргтехника
Производитель CRUCIAL

Описание:
Тип оперативной памяти: DDR4. Total capacity: 8 GB. Объем модуля памяти: 8 Гб. Частота работы оперативной памяти: 2666 МГц. Множитель частоты шины: 19. Напряжение питания: 1.2 В. Количество ранков: 1. Объем: 0.0001 м3.

Описание:
Тип оперативной памяти: DDR4. Объем модуля памяти: 8 Гб. Частота работы оперативной памяти: 2400 МГц. Форм-фактор модуля: 288-pin DIMM. Множитель частоты шины: 17. Напряжение питания: 1.2 В. Организация чипов: 1024Mx64. Количество ранков: 1. Объем: 0.0001 м3.

Описание:
Тип оперативной памяти: DDR4. Объем модуля памяти: 16Гб. Частота работы оперативной памяти: 2400 МГц. Форм-фактор модуля: 288-pin DIMM. Множитель частоты шины: 17. Напряжение питания: 1.2 В. Количество ранков: 1. Объем, 0.00005 м3.

Описание:
Тип памяти: 260-pin 1.2В SO-DIMM DDR4. Стандарт памяти: pc4-19200. Объем: 8 Гб. Частота работы: 2400 МГц. Пропускная способность: 19200 Мб/с. Латентность: CL17. Напряжение питания: 1.2.

Описание:
Тип оперативной памяти: DDR4. Объем модуля памяти: 4 Гб. Частота работы оперативной памяти: 2400 МГц. Форм-фактор модуля: 260-pin SO DIMM. Множитель частоты шины: 17. Напряжение питания: 1.2 В. Количество ранков: 1. Организация чипов: 512Mx64. Объем: 0.0001 м3.

Описание:
Тип оперативной памяти: DDR4. Объем модуля памяти: 4 Гб. Частота работы оперативной памяти: 2400 МГц. Форм-фактор модуля: 288-pin DIMM. Множитель частоты шины: 17. Напряжение питания: 1.2 В. Организация чипов: 512Mx64. Количество ранков: 1. Объем: 0.0001 м3.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM 288-контактный. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 МБ/с. Объем: 1 модуль 4 ГБ. Поддержка ECC: нет. Поддержка XMP: нет. Буферизованная (Registered): нет. Низкопрофильная (Low Profile): нет. Тайминги CAS Latency (CL): 19. Напряжение питания: 1.2 В. Количество ранков: 1.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM 288-контактный. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 МБ/с. Объем: 1 модуль 16 ГБ. Поддержка ECC: нет. Буферизованная (Registered): нет. Низкопрофильная (Low Profile): нет. Тайминги CAS Latency (CL): 19. Напряжение питания: 1.2 В. Количество ранков: 2.

Описание:
Серия: BX500. Обьем накопителя SSD: 120 Гб. Скорость записи: 500 Мб/сек. Скорость чтения: 540 Мб/сек. Форм-фактор: 2,5". Толщина диска: 7 мм. Время наработки на отказ: 1500000 ч. Объем: 0.0001 м3. Наличие SATA 3.0.

Описание:
Емкость: 250 ГБ. Назначение: для ноутбука и настольного компьютера. Форм-фактор: 2.5". Игровой: да. Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND. Контроллер: Silicon Motion SM2258. Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s. Макс. скорость интерфейса: 600 МБ/с. Скорость чтения: 560 МБ/с. Скорость записи: 510 МБ/с. Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ): 90000 IOPS. Суммарное число записываемых байтов (TBW): 100 ТБ. Поддержка секторов размером 4 КБ: есть. Шифрование данных: есть. Поддержка TRIM: есть. Время наработки на отказ: 1800000 ч. Макс. рабочая температура: 70° C. Ширина: 70 мм. Высота: 7 мм. Длина: 100 мм.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: SODIMM 260-контактный. Тактовая частота: 2400 МГц. Пропускная способность: 19200 МБ/с. Объем: 1 модуль 16 ГБ. Поддержка ECC: нет. Буферизованная (Registered): нет. Низкопрофильная (Low Profile): нет. Тайминги CAS Latency (CL): 17. Напряжение питания: 1.2 В. Количество ранков: 2.

Описание:
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти: 32 Гб. Объем одного модуля: 32 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 19. Напряжение питания: 1.2 В.

Описание:
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 8 Гб. Объем одного модуля: 8 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 19. Напряжение питания: 1.2 В.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 500 Гб. Тип флэш-памяти: 3D TLC NAND. Скорость чтения: 560 Мб/сек. Скорость записи: 510 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1800000 ч.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 1000 Гб. Скорость чтения: 540 Мб/сек. Скорость записи: 500 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1500000 ч.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 1000 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Контроллер: Silicon Motion SM2258. Скорость чтения: 560 Мб/сек. Скорость записи: 510 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1800000 ч.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 250 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Контроллер: Silicon Motion SM2258. Скорость чтения: 560 Мб/сек. Скорость записи: 510 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1800000 ч.

Описание:
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 8 Гб. Объем одного модуля: 8 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Напряжение питания: 1.2 В. Система охлаждения: нет.

Описание:
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 8 Гб. Объем одного модуля: 8 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 22. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Напряжение питания: 1.2 В. Система охлаждения: нет.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 2000 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Скорость чтения: 560 Мб/сек. Скорость записи: 510 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1800000 ч.