Электроника, оргтехника
Производитель CRUCIAL
стр. 2

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 240 Гб. Скорость чтения: 540 Мб/сек. Скорость записи: 500 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1500000 ч.

Описание:
Тип: SSD. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Объём накопителя: 250 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Скорость чтения: 3400 Мб/сек. Скорость записи: 1400 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1800000 ч.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Объём накопителя: 250 Гб. Контроллер: Phison PS5013-E13T. Скорость чтения: 2100 Мб/сек. Скорость записи: 1150 Мб/сек. Ресурс перезаписи (TBW): 75 ТБ. Время наработки на отказ: 1500000 ч.

Описание:
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 16 Гб. Объем одного модуля: 16 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 19. Напряжение питания: 1.2 В. Система охлаждения: нет.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Объём накопителя: 500 Гб. Контроллер: Phison PS5013-E13T. Скорость чтения: 2300 Мб/сек. Скорость записи: 940 Мб/сек. Ресурс перезаписи (TBW): 150 ТБ. Время наработки на отказ: 1500000 ч.

Описание:
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 16 Гб. Объем одного модуля: 16 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 22. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Напряжение питания: 1.2 В. Система охлаждения: нет.

Описание:
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 8 Гб. Объем одного модуля: 8 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 19. Напряжение питания: 1.2 В. Система охлаждения: нет.

Описание:
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-3. Объём памяти: 8 Гб. Объем одного модуля: 8 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 11. Напряжение питания: 1.35 В. Система охлаждения: нет.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 480 Гб. Скорость чтения: 540 Мб/сек. Скорость записи: 500 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1500000 ч.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 2 Тб. Скорость чтения: 540 Мб/сек. Скорость записи: 500 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1500000 ч.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 1000 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Скорость чтения: 560 Мб/сек. Скорость записи: 510 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1800000 ч.

Описание:
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 16 Гб. Объем одного модуля: 16 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Напряжение питания: 1.2 В. Система охлаждения: нет.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Объём накопителя: 1000 Гб. Скорость чтения: 2400 Мб/сек. Скорость записи: 1800 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1500000 ч.

Описание:
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 16 Гб. Объем одного модуля: 16 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 16. RAS to CAS Delay (tRCD): 18. Row Precharge Delay (tRP): 18. Activate to Precharge Delay (tRAS): 36. Напряжение питания: 1.35 В. Поддержка XMP: да. Система охлаждения: пассивная (радиатор).

Описание:
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 16 Гб. Объем одного модуля: 16 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 3600 МГц. Пропускная способность: 28800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 16. RAS to CAS Delay (tRCD): 18. Row Precharge Delay (tRP): 18. Activate to Precharge Delay (tRAS): 38. Напряжение питания: 1.35 В. Система охлаждения: пассивная (радиатор).

Описание:
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 32 Гб. Объем одного модуля: 32 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 16. RAS to CAS Delay (tRCD): 18. Row Precharge Delay (tRP): 18. Activate to Precharge Delay (tRAS): 36. Напряжение питания: 1.35 В. Поддержка XMP: да. Система охлаждения: пассивная (радиатор).

Описание:
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 8 Гб. Объем одного модуля: 8 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 3600 МГц. Пропускная способность: 28800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 16. Напряжение питания: 1.35 В. Подсветка: да. Система охлаждения: пассивная (радиатор).

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Объём накопителя: 2000 Гб. Скорость чтения: 2400 Мб/сек. Скорость записи: 1900 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1500000 ч.

Описание:
Тип: SSD. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Объём накопителя: 500 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Скорость чтения: 3400 Мб/сек. Скорость записи: 3000 Мб/сек. Время наработки на отказ: 1800000 ч.

Описание:
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 16 Гб. Объем одного модуля: 16 Гб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Напряжение питания: 1.2 В. Система охлаждения: нет.