Электроника, оргтехника
Производитель Kingston
стр. 26

Описание:
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 4096 Мб. Объем одного модуля: 4096 Мб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 22. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Напряжение питания: 1.2 В. Система охлаждения: нет.

Описание:
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 8192 Мб. Объем одного модуля: 8192 Мб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 22. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Дополнительно: Напряжение питания: 1.2 В. Система охлаждения: нет.

Описание:
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 32768 Мб. Объем одного модуля: 32768 Мб. Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Напряжение питания: 1.2 В. Система охлаждения: нет.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Объём накопителя: 250 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Скорость чтения: 2000 Мб/сек. Скорость записи: 1100 Мб/сек. Время наработки на отказ: 2000000 ч.

Описание:
Назначение: внутренний. Тип: SSD. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Объём накопителя: 500 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Скорость чтения: 2200 Мб/сек. Скорость записи: 2000 Мб/сек. Время наработки на отказ: 2000000 ч.

Описание:
Kingston DT Locker+ G3 - изготовлена из проверенных материалов и компонентов в металлическом корпусе стандартной конструкции, чтобы обеспечить ее отличную работоспособность на протяжении длительного времени. А прочный колпачок прекрасно защищает USB-разъем от пыли грязи и прочего негативного влияния. Особенностью флешки является аппаратное шифрование всех записанных данных, а также возможность ввода пароля. Для дополнительной защиты важных данных флешка автоматически форматируется при десятикратном неверном вводе пароля. Интерфейс флешки: USB 3.0. Форм-фактор флешки: с колпачком. Объем памяти: 16 Гб. Скорость считывания: 135 Мб/с. Скорость записи: 20 Мб/с. Материал корпуса: металл. Основной цвет: серебристый.

Описание:
Объем: 32 Гб. Интерфейс: USB 3.1. Скорость чтения: 135 Мб/с. Скорость записи: 40 Мб/с. Работа с данными: аппаратное шифрование, защита паролем. Цвет корпуса: бирюзовый.

Описание:
Объем: 32 Гб. Интерфейс: USB 3.0. Скорость чтения: 135 Мб/с. Скорость записи: 40 Мб/с. Работа с данными: аппаратное шифрование, защита паролем. Материал корпуса: металл. Размеры: 60.56x18.6x9.75 мм.

Описание:
Это стильное решение, которое позволит воспользоваться всеми преимуществами стандарта USB 3.0. С этим накопителем хранение и передача документов, музыки, видео и решение других задач становится как никогда простым. Объем: 16 Gb. Интерфейс: USB 3.0. Максимальная скорость чтения: 100 Мбайт/сек. Максимальная скорость записи: 10 Мбайт/сек. Тип коннектора: выдвижной разъем. Материал корпуса: пластик. Основной цвет корпуса: черный. Дополнительный цвет корпуса: красный. Высота: 60 мм. Ширина: 21,2 мм. Толщина: 10 мм. Вес: 15 грамм.

Описание:
Это стильное решение, которое позволит воспользоваться всеми преимуществами стандарта USB 3.0. С этим накопителем хранение и передача документов, музыки, видео и решение других задач становится как никогда простым. Объем: 32 Gb. Интерфейс: USB 3.0. Максимальная скорость чтения: 100 Мбайт/сек. Максимальная скорость записи: 10 Мбайт/сек. Тип коннектора: выдвижной разъем. Материал корпуса: пластик. Основной цвет корпуса: черный. Дополнительный цвет корпуса: красный. Высота: 60 мм. Ширина: 21,2 мм. Толщина: 10 мм. Вес: 15 грамм.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: SODIMM 260-контактный. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 МБ/с. Объем: 1 модуль 16 ГБ. Поддержка ECC: нет. Поддержка XMP: есть. Буферизованная (Registered): нет. Низкопрофильная (Low Profile): нет. Тайминги: CAS Latency (CL): 15. RAS to CAS Delay (tRCD): 17. Row Precharge Delay (tRP): 17. Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка. Напряжение питания: 1.2 В. Количество ранков: 2.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM 288-контактный. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 МБ/с. Объем: 1 модуль 8 ГБ. Поддержка ECC: нет. Поддержка XMP: нет. Буферизованная (Registered): нет. Низкопрофильная (Low Profile): нет. Тайминги: CAS Latency (CL): 22. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка. Напряжение питания: 1.2 В. Количество ранков: 1.

Описание:
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM 288-контактный. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 МБ/с. Объем: 1 модуль 16 ГБ. Поддержка ECC: нет. Поддержка XMP: нет. Буферизованная (Registered): нет. Низкопрофильная (Low Profile): нет. Тайминги: CAS Latency (CL): 22. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка. Напряжение питания: 1.2 В. Количество ранков: 2.

Описание:
Тип оперативной памяти: DDR4. Частота работы оперативной памяти: 2666 МГц. Форм-фактор модуля: 288-pin DIMM. Множитель частоты шины: 16. Количество модулей памяти: 4. Размер одного модуля памяти: 8 Гб. Напряжение питания: 1.2 В. Пропускная способность: 21300 Гб/с. Охлаждение: радиатор ассиметричной формы с RGB подсветкой.

Описание:
Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM. Напряжение питания: 1.35 В. Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц. Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с. Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок: 2. Назначение: для настольных ПК. Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет (non-ECC). Буферизация: небуферизированная (Unbuffered).

Описание:
Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM. Напряжение питания: 1.35 В. Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц. Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с. Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок: 2. Назначение: для настольных ПК. Подсветка элементов платы: есть. Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет (non-ECC). Буферизация: небуферизированная (Unbuffered).

Описание:
Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM. Напряжение питания: 1.35 В. Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц. Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с. Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок: 1. Назначение: для настольных ПК. Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет (non-ECC). Буферизация: небуферизированная (Unbuffered).

Описание:
Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM. Напряжение питания: 1.35 В. Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц. Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с. Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок: 1. Подсветка элементов платы: есть. Назначение: для настольных ПК. Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет (non-ECC). Буферизация: небуферизированная (Unbuffered).

Описание:
Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM. Напряжение питания: 1.35 В. Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3733 МГц. Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 29864 МБ/с. Схема таймингов памяти: CL19. Количество планок: 2. Назначение: для настольных ПК. Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет (non-ECC). Буферизация: небуферизированная (Unbuffered).

Описание:
Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM. Напряжение питания: 1.35 В. Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3733 МГц. Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 29864 МБ/с. Схема таймингов памяти: CL19. Количество планок: 2. Назначение: для настольных ПК. Подсветка элементов платы: есть. Проверка и коррекция ошибок (ECC): нет (non-ECC). Буферизация: небуферизированная (Unbuffered).